Piinitridilevy ja sen valmistusmenetelmä

Patentin nimi:Piinitridi-substraattija sen valmistusmenetelmä sekä piinitridipiirilevyn ja puolijohdemoduulin valmistusmenetelmä piinitridilevyä käyttäen
Tekninen ala:
Esillä oleva keksintö sisältääPiinitridi-substraattija sen valmistusmenetelmiä. Lisäksi keksintö sisältää piinitridipiirisubstraattien ja puolijohdemoduulien käytön käyttämällä yllä oleviaPiinitridi-substraatti.
Taustatekniikka:
Viime vuosina sähköajoneuvojen aloilla ja muilla aloilla tehopuolijohdemoduuli (Power Semiconductor Module) (IGBT, teho MOSFET jne.), joka voi toimia korkealla jännitteellä ja suurella virralla. Tehopuolijohdemoduulissa käytettäväksi substraatiksi voidaan käyttää eristävän keraamisen alustan yhtä pintaa yhdistämään metallipiirilevyyn ja keraamisen piirisubstraattia metallisäteilijälevyn kanssa toisella pinnalla. Lisäksi puolijohdeelementit metallipiirilevyllä ja niin edelleen. Yllä mainittujen eristyskeraamisten substraattien yhdistelmä metallisten piirilevyjen ja metallisten jäähdytyslevyjen kanssa, kuten ns. kuparipohjainen kuparipohjainen kuparipohjainen kuparipohjainen kuparipohjainen kuparipohjainen kuparipohjainen kupari on kytketty suoraan lailliseen. Tällaisessa tehopuolijohdemoduulissa lämmönhäviö on suurempi virtaamalla suurten virtojen läpi. Kuitenkin, koska edellä mainittu eristävä keraaminen substraatti on alhainen lämmönjohtavuuden suhteen, siitä voi tulla puolijohdekomponenttien lämmönpoistoa estävä tekijä. Lisäksi lämpöjännityksen muodostuminen johtuu lämpölaajenemisnopeudesta eristävän keraamisen alustan ja metallisen piirilevyn ja metallisen jäähdytyslevylevyn välillä. Tämän seurauksena eristävä keraaminen substraatti halkeilee ja tuhoutuu tai metallipiirilevy tai metallin lämpö haihtuu. Levy irtoaa eristävästä keraamisesta alustasta.