Tehoelektroninen substraatti

Tehoelektroninen substraatti

Tehoelektroniikkasubstraatit ovat eräänlaisia ​​materiaaleja, joita käytetään tehoelektroniikkakomponenttien, kuten tehomoduulien, invertterien ja muuntajien, rakentamisessa. Ne on tyypillisesti valmistettu keramiikasta tai muusta korkean lämpötilan materiaalista, joka tarjoaa vankan, korkean lämmönjohtavuuden ja luotettavan sähköeristyksen. Nämä substraatit on suunniteltu tarjoamaan tarvittava tuki ja lämmönhallinta tehoelektroniikkakomponenteille, jotta ne voivat toimia tehokkaasti ja luotettavasti.

Tehoelektroniikkaalustoja käytetään erilaisissa sovelluksissa, kuten moottorikäytöissä, uusiutuvan energian järjestelmissä, sähköajoneuvoissa ja muissa tehoelektroniikan sovelluksissa. Ne on erityisesti suunniteltu käsittelemään suuritehoisia sovelluksia, joissa lämmönhallinta on ratkaisevan tärkeää tehokkaan toiminnan kannalta. Esimerkiksi korkean lämpötilan keramiikka, kuten alumiininitridi (AlN) tai piikarbidi, voi johtaa lämpöä jopa 10 kertaa paremmin kuin metallit, kuten kupari, mikä tekee niistä erinomaisia ​​materiaaleja tehoelektroniikkasovelluksiin.

Korkean lämpötilan ja lämmönjohtavuusominaisuuksiensa lisäksi tehoelektroniikkaalustat tarjoavat erinomaisen sähköeristyksen, mikä on välttämätöntä tehoelektroniikassa. Sähköeristysmateriaalit estävät oikosulkuja ja suojaavat suurien jännitteiden aiheuttamilta vaurioilta varmistaen, että tehoelektroniikkakomponentit ovat turvallisia ja luotettavia.

Kaiken kaikkiaan tehoelektroniikkaalustat ovat välttämättömiä materiaaleja tehoelektroniikkakomponenttien rakentamisessa. Niiden korkean lämpötilan ja lämmönjohtavuusominaisuudet yhdistettynä erinomaiseen sähköeristykseen tekevät niistä ihanteellisen valinnan tehoelektroniikkasovelluksiin, jotka vaativat korkeaa luotettavuutta ja tehokasta lämmönhallintaa.

Torbo® Power -elektroniikkaalusta

Tuote: Power electronic substraatti

Materiaali: Si3N4

Väri: Harmaa

Paksuus: 0,25-1 mm

Pintakäsittely: Kaksoiskiillotettu

Irtopaino: 3,24 g/㎤

Pinnan karheus Ra: 0,4 μm

Taivutuslujuus: (3-pistemenetelmä): 600-1000Mpa

Kimmomoduuli: 310Gpa

Murtolujuus (IF-menetelmä): 6,5 MPa･√m

Lämmönjohtavuus: 25°C 15-85 W/(m･K)

Dielektrinen häviökerroin: 0,4

Tilavuusvastus: 25°C >1014 Ω･㎝

Jakovoimakkuus: DC >15㎸/㎜